EFFET DE LA VARIATION DU POUVOIR EMISSIF D'UN CONTACT SUR LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION DANS DIFFERENTES GAMMES D'INJECTION DE PORTEURS AU CONTACTZYUGANOV AN; SVECHNIKOV SV; SMERTENKO S et al.1975; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 20; PP. 97-106; BIBL. 16 REF.Article

COURANTS STIMULES ELECTRIQUEMENT AVEC ELECTRODES NON INJECTANTESDIMITROV A.1973; GOD. VISSH. TEKH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; BALG.; DA. 1973; VOL. 10; NO 1; PP. 1-6; ABS. RUSSE ANGL.; BIBL. 15 REF.Article

INFLUENCE DES VARIATIONS DANS LA REGION VOISINE DU CONTACT SUR LES PRINCIPALES CARACTERISTIQUES DU SEMICONDUCTEUR EN REGIME D'ECLAIREMENTKYNEV S; NIKOLOV P.1972; UKRAIN. FIZ. ZH.; S.S.S.R.; DA. 1972; VOL. 17; NO 11; PP. 1858-1862; ABS. ANGL.; BIBL. 4 REF.Serial Issue

ETUDE DU MECANISME DE CONDUCTIVITE DES STRUCTURES "SANDWICH" IN_2-XSN_XO_3-Y(SNO₂)-CDSE-CDS:CD,CLZYUGANOV AN; KAGANOVICH EH B; PIRYATINSKAYA SF et al.1979; POLUPROVODN. MIKROELEKTRON.; UKR; DA. 1979; NO 30; PP. 28-35; BIBL. 15 REF.Article

THEORIE LINEAIRE DES CARACTERISTIQUES FREQUENTIELLES DU REGIME D'INJECTION DE CONTACT MAXIMUM)ZYUGANOV AN; MIKHELASHVILI VM; SVECHNIKOV SV et al.1976; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1976; NO 23; PP. 30-34; BIBL. 12 REF.Article

FORMATION D'UN ECHELON DE CONCENTRATION ET DE CHAMP ELECTRIQUE PAR DOUBLE INJECTION DE PORTEURS CHAUDSDMITRIEV AP; STEFANOVICH AE; TSENDIN LD et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 7; PP. 1358-1363; BIBL. 10 REF.Article

EFFET D'UNE CONCENTRATION FINIE DE PORTEURS PRES DE LA CATHODE SUR LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION D'UN SEMICONDUCTEUR MONOPOLAIRE A TAUX DE COMPENSATION ARBITRAIREZYUGANOV AN; PIS'MENNYJ YU G; TKHORIK YU A et al.1974; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 15; PP. 47-49; BIBL. 6 REF.Article

ELECTRON INJECTION INTO ANODIC VALVE METAL OXIDES. II. FURTHER EXPERIMENTAL RESULTS FOR TA₂O₅, NB₂O₅ AND AL₂O₃JAEGER NI; KLEIN GP; MYRVAAGNES B et al.1972; J. ELECTROCHEM. SOC.; U.S.A.; DA. 1972; VOL. 119; NO 11; PP. 1531-1538; BIBL. 11 REF.Serial Issue

SOLID-PHASE FORMATION OF TRANSISTOR EMITTERS AT LOW TEMPERATUREFERN AM; MCCALDIN JO.1972; PROC. I.E.E.E.; U.S.A.; DA. 1972; VOL. 60; NO 8; PP. 1018; BIBL. 6 REF.Serial Issue

STUDY OF THE INJECTION OF HOLES IN THE CDS-AU CONTACTKIROV KI; IVANOV NA.1972; C.R. ACAD. BULG. SCI.; BULG.; DA. 1972; VOL. 25; NO 7; PP. 901-904; BIBL. 7 REF.Serial Issue

A MODEL OF CHARGE INJECTION AT METAL-INSULATOR CONTACTS.CHEN I.1978; SOLID STATE COMMUNIC.; GBR; DA. 1978; VOL. 26; NO 6; PP. 359-363; BIBL. 9 REF.Article

ELECTRON INJECTION- AND INTERFACIAL REACTIONS AT VALVE METAL OXIDES.KLEIN GP; JAEGER NI.1977; THIN SOLID FILMS; NETHERLAND; DA. 1977; VOL. 43; NO 1-2; PP. 103-129; BIBL. 33 REF.Article

CREATION DE CONTACTS OHMIQUES SUR DES SEMICONDUCTEURS A LARGE BANDE DU GROUPE A^IIB^VII PAR EXPLOSION ELECTRIQUEGLUSHCHENKO NI; LESHCHENKO NE; RVACHEV AL et al.1975; FIZ. KHIM. OBRABOT. MATER.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 6; PP. 139-142; BIBL. 5 REF.Article

PHOTOCONDUCTIVITY OF AMORPHOUS AS₂SE₃.TUTIHASI S.1976; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 47; NO 1; PP. 277-286; BIBL. 25 REF.Article

PARTICULARITES DE LA CONDUCTIVITE DE SIC SEMI-ISOLANT DANS LES CHAMPS ELECTRIQUES FORTSBRODOVOJ VA; GOZAK A CH; PEKA GP et al.1977; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 11; NO 6; PP. 1022-1025; BIBL. 7 REF.Article

SPACE CHARGE CREATED BY AN OHMIC INJECTING CONTACT, AND ITS EFFECTS IN AN ELECTROLYTE-INSULATOR SYSTEM WITH TRAPS DISTRIBUTED NON-UNIFORMLY IN ENERGY AND IN SPACE.ELSHARKAWI AR; KAO KC.1976; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1976; VOL. 19; NO 11; PP. 939-947; BIBL. 18 REF.Article

Complementary integrated circuits on plastic foil using inkjet printed n- and p-type organic semiconductors: Fabrication, characterization, and circuit analysisSMAAL, Wiljan; KJELLANDER, Charlotte; DEHAENE, Wim et al.Organic electronics (Print). 2012, Vol 13, Num 9, pp 1686-1692, issn 1566-1199, 7 p.Article